Vào tháng 10, việc chuyển nhượng đất đai của mười thành phố đã vượt quá 40 tỷ nhân dân tệ

国家存储器基地项目二期于武汉开工：月规划产能20万片|||||||

国度存储器基天项目两期正在武汉东湖下新区完工。国度存储器基天项目由紫光团体、国度散成电路基金、湖北省科投团体战湖北省散成电路基金配合投资建立，方案分两期建立3D NAND闪存芯片工场。

国度存储器基天项目一期于2016岁尾完工建立，停顿顺遂，32层、64层存储芯片产物已完成不变量产，并胜利研造出环球尾款128层QLC三维闪存芯片。

项目方案分两期建立3D NAND闪存芯片工场，总投资240亿美圆。

此中，一期次要完成手艺打破，并建成10万片/月产能；两期计划产能20万片/月，两期项目达产后月产能总计30万片。